国际龙头企业半导体发展领先国内几十年具有技术积累优势

碳化硅具有耐高压，耐高温，耐高频，抗辐射等优异的电学特性，突破了硅基半导体材料的物理限制是第三代半导体核心材料3360碳化硅材料的禁带宽度约为硅材料的三倍，硅材料的极限温度不到碳化硅材料的一半这些物理特性使碳化硅材料更好地应用于高压和高温环境此外，与硅基器件相比，相同性能的碳化硅器件体积更小，重量更轻，能量损失更小在高温，高压，高频领域，碳化硅将逐步取代硅器件，如5G通信基站，轨道交通，UHV传输，新能源汽车等领域

碳化硅的优异性能满足了下游市场的新兴需求以新能源汽车为例，使用碳化硅器件可以延长电动汽车的行驶里程，缩短电动汽车的充电时间，扩大电池容量等越来越多的新能源汽车企业使用碳化硅器件

新能源，光伏发电等领域发展迅速，碳化硅的释放需要:碳化硅材料，主要可制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件受益于5G通信，国防军工，新能源汽车，新能源光伏的发展，碳化硅需求大幅增长IHS报告显示，2027年碳化硅功率器件市场规模有望超过100亿美元其中，2019年碳化硅在新能源汽车细分市场的应用规模约为4.2亿元，新能源汽车销量持续超预期，使得SiC MOSFET有望成为最畅销的功率器件并保持较快的增长速度在光伏发电的应用中，采用碳化硅MOSFET的光伏逆变器或与碳化硅SBD相结合的功率模块，可使转换效率从96%提高到99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提高50倍在射频领域，根据Yole的报告，预计2025年全球氮化镓射频器件市场规模将达到20亿美元在高频大功率应用场景下，氮化镓射频器件有望继续取代硅基LDMOS，在2025年占据射频器件约50%的市场份额新兴技术驱动的碳化硅器件需求快速增长，下游应用市场前景广阔

CREE公司占据垄断地位，国产替代进度加速:目前碳化硅晶片产业格局的特点是美国，欧洲，日本公司占主导地位，美国优势显著以导电产品为例，CREE公司占据了一半以上的市场份额，其余大部分份额被日本和欧洲的其他碳化硅企业占据2019年，全球碳化硅产量的70%—80%来自美国，2020年上半年，美国CREE公司的SiC晶圆出货量占全球SiC晶圆的45%国际龙头企业半导体发展领先国内几十年，具有技术积累优势但第三代半导体碳化硅产业仍处于起步阶段，国内企业与国外巨头差距较小，有望迎头赶上我国碳化硅晶体经过十多年的自主研发，国内市场涌现出田可何达，山东田玉娥等优秀的自主制造企业，逐步掌握了2—6英寸碳化硅晶体的制造技术，打破了碳化硅晶片制造的国际垄断而且，田可何达，山东田玉娥的产品在很多关键技术参数上都达到了国际领先水平，可以直接与美国CREE公司，Erlu公司竞争