基于3.0技术的第四代TLC 3D flash X3—9070在2022 Flash Summit 上正式发布与长江存储上一代产品相比，X3—9070存储密度更高，I/O速度更快，采用6平面设计，提升了性能，降低了功耗，进一步释放了系统级产品的潜力
长江存储第四代TLC 3D闪存X3—9070
自2018年问世以来，晶栈技术已成为长江存储助推闪存产业发展的关键驱动力之一存储器阵列和外围电路的混合键合工艺为闪存产品带来了更高的密度，更快的I/O速度和更短的产品上市时间伴随着长江内存栈3.0的推出，新一代X3系列闪存产品将为大数据，5G，智能物联网等领域的多元化应用带来新的机遇
经过晶栈从1.0到3.0的迭代开发，长江存储在3D异构集成领域积累了丰富的经验基于晶栈技术，成功构建了多项长江存储系统解决方案，包括SATA III，PCIe Gen3，Gen4固态硬盘，以及面向移动通信和其他嵌入式应用的eMMC，UFS等嵌入式存储产品，赢得了行业合作伙伴的广泛好评
长江存储自主研发的Crystal Stack 3.0架构的问世是其3D NAND电路的一项重要突破，Forward Insights创始人兼首席分析师王宗尧表示事实证明，存储阵列和外围逻辑电路的混合键合技术对推动3D NAND技术的发展和创新至关重要X3—9070是一个关键的行业里程碑，配备了先进的闪存技术水晶栈3.0平台这也预示着存储单元与外围逻辑电路混合键合的技术有望成为未来行业的主流
作为一款创新产品，长江存储X3—9070具有卓越的性能，更好的耐用性和高品质的可靠性，并通过了美国电子器件工程联合委员会定义的多项测试标准。
X3—9070具有以下技术特征:
性能:X3—9070可实现高达2400MT/s的I/O传输速率，符合ONFI5.0规范，与长江存储上一代产品相比，实现了50%的性能提升，
密度:得益于晶栈3.0的架构创新，X3—9070成为长江存储史上密度最高的闪存颗粒产品，可在更小的单芯片中实现1Tb存储容量，
提升系统级产品体验:得益于创新的6平面设计，X3—9070的性能比传统的4平面提升50%以上，同时功耗降低25%，能效比显著提升，可以为最终用户带来更具吸引力的总拥有成本。
